環球晶攜手交大 開發碳化矽等半導體材料技術

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(中央社記者張建中新竹22日電)半導體矽晶圓廠環球晶今天與國立交通大學簽署備忘錄,將共同成立化合物半導體研究中心,開發包括碳化矽(SiC)等第三代半導體材料技術。

交大代理校長陳信宏表示,SiC和氮化鎵(GaN)是非常具有發展前景的半導體材料,在5G、電動車等應用上,是相當重要的成功關鍵。

陳信宏指出,交大結合多所學校相關研究的教授群,以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸,與環球晶共同合作加速開發SiC和GaN,建立產學互饋循環機制,並培育國際級研發團隊,以利提升台灣半導體產業在全球的競爭實力。

環球晶表示,在SiC和GaN領域已深耕多年,並開發多項專利,具有完整的生產線,這次與交大合作,希望結合各自的專業領域與技術優勢加速發展,創造營運成長新契機。(編輯:張均懋)1090622